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参数目录39878
> NTMFS4936NT1G MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8 FL
型号:
NTMFS4936NT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8 FL
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTMFS4936NT1G PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3.8 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3044pF @ 15V
功率 - 最大
920mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)
供应商设备封装
6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
NTMFS4936NT1GOSCT
查看NTMFS4936NT1G代理商
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